德國(guó)惠朋VIPA 115-6BL32西門(mén)子接線方法

本公司主要經(jīng)營(yíng)：西門(mén)子S72/3/400、S71200、S71500全系列，觸摸屏6AV，DP接頭，6XV總線電纜，通訊模塊6GK系列，SITOP電源6EP系列。變頻調(diào)速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090，C98043等系列，6SE70，MM4系列及變頻調(diào)速器配件。數(shù)控伺服6SN,6FC,S120,G120。產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)保一年

德國(guó)惠朋VIPA 115-6BL3210：如何通過(guò)PROFIBUSDP用功能塊實(shí)現(xiàn)在主、從站之間實(shí)現(xiàn)雙向數(shù)據(jù)傳送？。我們需計(jì)算所有S7-200數(shù)字量模塊的5V電源消耗和，以保證其不過(guò)CPU5V電源供應(yīng)能力。SM323模塊有16位類(lèi)型(6ES7323-1BL00-0AA0)和8位類(lèi)型(6ES7323-1BH00-0AA0)兩種。對(duì)于16位類(lèi)型的模塊，輸入和輸出占用“X”和“X+1”兩個(gè)地址。如果SM323的基地址為4(即X=4；插槽為5),那么輸入就被賦址在地址4和5下面,輸出的地址同樣也被賦址在地址4和5下面。在模塊的接線視圖中，輸入字節(jié)“X”位于左邊的頂部，輸出字節(jié)

絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 是由 MOSFET 和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件 , 其輸入極為 MOSFET, 輸出極為 PNP 晶體管 , 因此 , 可以把其看作是 MOS 輸入的達(dá)林頓管。它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn) , 既具有 MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單和快速的優(yōu)點(diǎn) , 又具有雙極型器件容量大的優(yōu)點(diǎn) , 因而 , 在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。
在中大功率的開(kāi)關(guān)電源裝置中 ,IGBT 由于其控制驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、工作頻率較高、容量較大的特點(diǎn) , 已逐步取代晶閘管或 GTO 。但是在開(kāi)關(guān)電源裝置中 , 由于它工作在高頻與高電壓、大電流的條件下 , 使得它容易損壞 , 另外 , 電源作為系統(tǒng)的前級(jí) , 由于受電網(wǎng)波動(dòng)、雷擊等原因的影響使得它所承受的應(yīng)力更大 , 故 IGBT 的可靠性直接關(guān)系到電源的可靠性。因而 , 在選擇 IGBT 時(shí)除了要作降額考慮外 , 對(duì) IGBT 的保護(hù)設(shè)計(jì)也是電源設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)考慮的一個(gè)環(huán)節(jié)。

IGBT：
1、可以等效為（或理解為）：場(chǎng)效應(yīng)管與大功率三極管組成的復(fù)合管。
2、特性類(lèi)似于場(chǎng)效應(yīng)管。輸入阻抗非常高，輸出阻抗低，驅(qū)動(dòng)功率非常小，主要是結(jié)電容引起的驅(qū)動(dòng)電流、放大倍數(shù)高。
3、開(kāi)關(guān)頻率較高，耐壓高、通流能力強(qiáng)（額定電流大）。
4、主要用于：變頻器（逆變）、電磁爐，中、大功率逆變、氬弧焊機(jī)等、高頻電源

IGBT模塊FD300R12KE3
IGBT模塊CM400HA-24A
IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1
IGBT模塊6SY7000-0AC37
IGBT模塊FZ1200R12KF5
IGBT模塊6SY7000-0AC77
IGBT模塊FF150R12KE3G
IGBT模塊1MBI300SA-120B-52
IGBT模塊1MBI200SA-120B-52
IGBT模塊SKIIP 11NAB063T42
IGBT模塊FF200R12KE3
IGBT模塊BSM25GP120
IGBT模塊FZ1000R12KF5
IGBT模塊6SY7000-0AC80
IGBT模塊6SY7000-0AD33
IGBT模塊FZ1000R16KF4
IGBT模塊6SY7000-0AD04
IGBT模塊6SY7000-0AC85
IGBT模塊SKM200GB128D
IGBT模塊FZ2400R17KE3

德國(guó)惠朋VIPA 115-6BL32模擬模塊SM374可用于三種模式中：作為16通道數(shù)字輸入模塊，作為16通道數(shù)字輸出模塊，作為帶8個(gè)輸入和8個(gè)輸出的混合數(shù)字輸入/輸出模塊。 20：如何確定MMC的大小以便完整地存儲(chǔ)STEP7項(xiàng)目？ 為了給項(xiàng)目選擇合適的MMC，需要了解整個(gè)項(xiàng)目的大小以及要加載塊的大小。操作系統(tǒng)然后調(diào)用OB82。

IGBT 的等效電路如圖 1 所示。由圖 1 可知 , 若在 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓 , 則 MOSFET 導(dǎo)通 , 這樣 PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通 ; 若 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為 0V, 則 MOSFET 截止 , 切斷 PNP 晶體管基極電流的供給 , 使得晶體管截止
由此可知 ,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定：
—— IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓 ;

如果 IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓 , 即驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)低 , 則 IGBT 不能穩(wěn)定正常地工作 , 如果過(guò)高過(guò)柵極－發(fā)射極之間的耐壓則 IGBT 可能*性損壞 ; 同樣 , 如果加在 IGBT 集電極與發(fā)射極允許的電壓過(guò)集電極－發(fā)射極之間的耐壓 , 流過(guò) IGBT 集電極－發(fā)射極的電流過(guò)集電極－發(fā)射極允許的*電流 ,IGBT 的結(jié)溫過(guò)其結(jié)溫的允許值 ,IGBT 都可能會(huì)*性損壞。

德國(guó)惠朋VIPA 115-6BL325：在S7CPU中如何進(jìn)行全局?jǐn)?shù)據(jù)的基本通訊？在通訊時(shí)需要注意什么？另外STEP7CD包含文件SimaticSTEP7.msi。

2  保護(hù)措施
在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí) , 應(yīng)針對(duì)影響 IGBT 可靠性的因素 , 有的放矢地采取相應(yīng)的保護(hù)措施。
2 ． 1 IGBT 柵極的保護(hù)
IGBT 的柵極－發(fā)射極驅(qū)動(dòng)電壓 VGE 的保證值為 ± 20V, 如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上出保證值的電壓 , 則可能會(huì)損壞 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路中應(yīng)當(dāng)設(shè)置柵壓限幅電路。另外 , 若 IGBT 的柵極與發(fā)射極間開(kāi)路 , 而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓 , 則隨著集電極電位的變化 , 由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在 , 使得柵極電位升高 , 集電極－發(fā)射極有電流流過(guò)。這時(shí)若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時(shí) , 可能會(huì)使 IGBT 發(fā)熱甚至損壞。如果設(shè)備在運(yùn)輸或振動(dòng)過(guò)程中使得柵極回路斷開(kāi) , 在不被察覺(jué)的情況下給主電路加上電壓 , 則 IGBT 就可能會(huì)損壞。為防止此類(lèi)情況發(fā)生 , 應(yīng)在 IGBT 的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十 k Ω 的電阻 , 此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。如圖 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 雙極晶體管的復(fù)合體 , 特別是其柵極為 MOS 結(jié)構(gòu) , 因此除了上述應(yīng)有的保護(hù)之外 , 就像其他 MOS 結(jié)構(gòu)器件一樣 ,IGBT 對(duì)于靜電壓也是十分敏感的 , 故而對(duì) IGBT 進(jìn)行裝配焊接作業(yè)時(shí)也必須注意以下事項(xiàng)：

2  集電極與發(fā)射極間的過(guò)壓保護(hù)
過(guò)電壓的產(chǎn)生主要有兩種情況 , 一種是施加到 IGBT 集電極－發(fā)射極間的直流電壓過(guò)高 , 另一種為集電極－發(fā)射極上的浪涌電壓過(guò)高。
2.2.1  直流過(guò)電壓
直流過(guò)壓產(chǎn)生的原因是由于輸入交流電源或 IGBT 的前一級(jí)輸入發(fā)生異常所致。解決的辦法是在選取 IGBT 時(shí) , 進(jìn)行降額設(shè)計(jì) ; 另外 , 可在檢測(cè)出這一過(guò)壓時(shí)分?jǐn)?IGBT 的輸入 , 保證 IGBT 的安全。
2.2.2  浪涌電壓的保護(hù)
因?yàn)殡娐分蟹植茧姼械拇嬖?/FONT> , 加之 IGBT 的開(kāi)關(guān)速度較高 , 當(dāng) IGBT 關(guān)斷時(shí)及與之并接的反向恢復(fù)二極管逆向恢復(fù)時(shí) , 就會(huì)產(chǎn)生很大的浪涌電壓 Ldi/dt, 威脅 IGBT 的安全。

由以上分析可知，柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗對(duì) IGBT 的開(kāi)通過(guò)程影響較大，而對(duì)關(guān)斷過(guò)程影響小一些，串聯(lián)電阻小有利于加快關(guān)斷速率，減小關(guān)斷損耗，但過(guò)小會(huì)造成 di/dt 過(guò)大，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。因此對(duì)串聯(lián)電阻要根據(jù)具體設(shè)計(jì)要求進(jìn)行全面綜合的考慮。  

     柵極電阻對(duì)驅(qū)動(dòng)脈沖的波形也有影響。電阻值過(guò)小時(shí)會(huì)造成脈沖振蕩，過(guò)大時(shí)脈沖波形的前后沿會(huì)發(fā)生延遲和變緩。 IGBT 的柵極輸入電容 Cge 隨著其額定電流容量的增加而增大。為了保持相同的驅(qū)動(dòng)脈沖前后沿速率，對(duì)于電流容量大的 IGBT 器件，應(yīng)提供較大的前后沿充電電流。為此，柵極串聯(lián)電阻的電阻值應(yīng)隨著 IGBT 電流容量的增加而減小。  
IGBT模塊6SY7000-0AA82
IGBT模塊6RY1700-0AA03
IGBT模塊2MBI150S-120-52
IGBT模塊2MBI100S-120-52
IGBT模塊1MBI400S-120
IGBT模塊FZ900R16KF4
IGBT模塊FZ900R16KF4
IGBT模塊FZ800R16KF4
IGBT模塊FZ2400R17KE3_B9_S1
IGBT模塊FZ1000R16KF4
IGBT模塊FS300R12KE4
IGBT模塊6SY7000-0AF11
IGBT模塊6SY7000-0AF11

德國(guó)惠朋VIPA 115-6BL3257：可以在不用PG的情況下更換FM353/FM354嗎？ 注意所顯示的布局只是一種示意圖，可能與實(shí)際布局不一致。

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